薄膜太陽(yáng)能電池是一種利用薄膜技術(shù)制造的太陽(yáng)能電池，具有成本低、厚度薄、重量輕、柔性和可彎曲等優(yōu)點(diǎn)。通常使用半導(dǎo)體材料如銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）、非晶體硅、砷化鎵（GaAs）等制成，這些材料具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，能夠在較低光照條件下產(chǎn)生電能。
薄膜太陽(yáng)電池可以使用在價(jià)格低廉的玻璃、塑膠、陶瓷、石墨、金屬片等不同材料當(dāng)基板來(lái)制造，形成可產(chǎn)生電壓的薄膜厚度僅需數(shù)μm，因此在同一受光面積之下可較硅晶圓太陽(yáng)能電池大幅減少原料的用量（厚度可低于硅晶圓太陽(yáng)能電池90%以上），目前轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)13%，薄膜太陽(yáng)電池不僅適用于平面結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠淇蓳闲赃€可制作成非平面構(gòu)造，具有廣泛的應(yīng)用前景，可與建筑物結(jié)合或是成為建筑體的一部份。
薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)品應(yīng)用：
半透明式的太陽(yáng)能電池模組：建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用(BIPV)
薄膜太陽(yáng)能之應(yīng)用：隨身折疊式充電電源、軍事、旅行
薄膜太陽(yáng)能模組之應(yīng)用：屋頂、建筑整合式、遠(yuǎn)端電力供應(yīng)、國(guó)防
薄膜太陽(yáng)能電池的特色：
1.相同遮蔽面積下功率損失較小(弱光情況下的發(fā)電性佳)
2.照度相同下?lián)p失的功率較晶圓太陽(yáng)能電池少
3.有較佳的功率溫度係數(shù)
4.較佳的光傳輸
5.較高的累積發(fā)電量
6.只需少量的硅原料
7.沒有內(nèi)部電路短路問(wèn)題(連線已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)建)
8.厚度較晶圓太陽(yáng)能電池薄
9.材料供應(yīng)無(wú)慮
10.可與建材整合性運(yùn)用(BIPV)
太陽(yáng)能電池厚度比較：
晶硅(200～350μm)、非晶性薄膜(0.5μm)
薄膜太陽(yáng)能電池的種類：
非晶硅(Amorphus Silicon, a-Si)、微晶硅(Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si)、化合物半導(dǎo)體II-IV 族[CdS、CdTe(碲化鎘)、CuInSe2]、色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell)、有機(jī)導(dǎo)電高分子(Organic/polymer solar cells) 、CIGS (銅銦硒化物)..等
薄膜太陽(yáng)能模組結(jié)構(gòu)圖:
薄膜太陽(yáng)能模組是由玻璃基板、金屬層、透明導(dǎo)電層、電器功能盒、膠合材料、半導(dǎo)體層..等所構(gòu)成的。
薄膜太陽(yáng)能電池可靠度試驗(yàn)規(guī)范：
IEC61646(薄膜太陽(yáng)光電模組測(cè)試標(biāo)準(zhǔn))、CNS15115(薄膜硅陸上太陽(yáng)光電模組設(shè)計(jì)確認(rèn)和型式認(rèn)可)
Lab Companion高低溫濕熱試驗(yàn)箱
高低溫濕熱試驗(yàn)設(shè)備系列產(chǎn)品，通過(guò)CE認(rèn)證，配置34L、64L、100L、180L、340L、600L、1000L、1500L等容積型號(hào)，滿足不同客戶的需求。在設(shè)計(jì)方面采用環(huán)保制冷劑和高性能制冷系統(tǒng)，零部件均采用國(guó)際知名品牌。
薄膜太陽(yáng)能電池專有名詞整理：
|
英文名稱
|
中文名稱
|
說(shuō)明
|
|
A-Si Amorphus Silicon
|
非晶硅
|
利用濺鍍或是化學(xué)氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方式。
|
|
BIPV Building-integrated photovoltaic
|
一體型太陽(yáng)能電池模板
|
BIPV是結(jié)合太陽(yáng)能發(fā)電與建筑物外牆兩項(xiàng)功能，將太陽(yáng)電池模組(module)或陣列(array)整合、設(shè)計(jì)并裝置在建筑物上的雙用途產(chǎn)品。
|
|
CdTe Cadmium telluride
|
碲化鎘
|
CdTe屬于化合物半導(dǎo)體，電池轉(zhuǎn)換效率不差，若使用耐高溫(約600℃)的硼玻璃作為基板轉(zhuǎn)換效率可達(dá)16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達(dá)到12%的轉(zhuǎn)換效率，轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)優(yōu)于非晶硅材料。
|
|
CEI 904
|
|
具光譜照射光參考數(shù)據(jù)之太陽(yáng)原件量測(cè)原理，等同IEC 904
|
|
CIS Copper Indium Diselenide
|
硒化銦銅
|
屬于化合物半導(dǎo)體，這樣的材料吸光范圍廣穩(wěn)定性好，若是用聚光裝置輔助，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)30%，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境測(cè)試下最高也可達(dá)到19.5%，模組的話，可達(dá)約13%。
|
|
CIGS Copper Indium Gallium Diselenide
|
銅銦鎵硒
|
屬于化合物半導(dǎo)體，這樣的材料吸光范圍廣穩(wěn)定性好，若是用聚光裝置輔助，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)30%，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境測(cè)試下最高也可達(dá)到19.5%，模組的話，可達(dá)約13%。
|
|
Dye-Sensitized Solar Cell
|
色素敏化染料
|
|
|
GaAs Multijuction
|
多接面砷化鎵
|
|
|
Nc-Si Nanocrystalline Silicon
|
微晶硅
|
是非晶硅的改良材料，其結(jié)構(gòu)介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結(jié)構(gòu)中具有微小的晶體粒子，因此同時(shí)具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現(xiàn)光劣化效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率也較高。
|
|
NOCT Nominal Operating Cell Temperature
|
標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度
|
在標(biāo)準(zhǔn)參考環(huán)境(SRE)下，開架式安裝模組之太陽(yáng)能電池之平衡平均接面溫度。
|
|
Mc-Si(Microcrystalline Silicon)
|
微晶硅
|
是非晶硅的改良材料，其結(jié)構(gòu)介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結(jié)構(gòu)中具有微小的晶體粒子，因此同時(shí)具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現(xiàn)光劣化效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率也較高。
|
|
PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
|
電漿體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
|
在二個(gè)電極板間外加一個(gè)射頻電壓，于是在二個(gè)電極之間的氣體會(huì)解離而產(chǎn)生電漿，使用電漿的輔助能量，使得沉積反應(yīng)的溫度得以降低。
|
|
Polymer solar cells
|
有機(jī)導(dǎo)電高分子
|
|
|
Sputtering
|
真空濺鍍
|
|
|
SRE
|
標(biāo)準(zhǔn)參考環(huán)境
|
傾斜角度(與水平成45度)、總照射度(800Wm^-2)、周圍溫度(20℃)、風(fēng)速(1ms^-1)、電力負(fù)載(無(wú)開路)。
|
|
STC
|
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件
|
電池溫度(25℃)、照射度(1000Wm^-2)符合規(guī)范CEI 904-3所要求之參考太陽(yáng)能光譜之照射分佈。
|
|
Thin-film Photovoltaic
|
薄膜太陽(yáng)能電池
|
|