可靠性分析是以量化數(shù)據(jù)為產(chǎn)品品質(zhì)之依據(jù)，藉由實驗?zāi)M，產(chǎn)品于既定時間內(nèi)、特定使用環(huán)境條件，執(zhí)行特定規(guī)格功能，成功完成工作目標(biāo)的機率，以量化數(shù)據(jù)作為產(chǎn)品品質(zhì)保證的依據(jù)。其中，環(huán)境測試是可靠性分析中的一項常見分析項目。

環(huán)境可靠性測試是為了保證產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間，在預(yù)期的使用、運輸或貯存的所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的試驗。具體測試方法就是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評價產(chǎn)品在實際使用、運輸和貯存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機理。

勝科納米可靠性分析實驗室主要通過增加溫度、濕度、偏壓、模擬IO等條件，根據(jù)IC設(shè)計需求，選擇條件加速老化，從而評估IC可靠性。主要測試方法如下：

TC溫度循環(huán)測試

實驗標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A104

實驗?zāi)康模杭铀贉囟茸兓瘜悠返挠绊?

測試過程：樣品放入測試chamber，chamber內(nèi)部在指定溫度之間循環(huán)，并在每個溫度下保持至少十分鐘。溫度極端值取決于測試方法中選擇的條件?？倯?yīng)力對應(yīng)于在指定溫度下完成的循環(huán)次數(shù)。
       
設(shè)備能力：

BLT高溫偏壓實驗

實驗標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A108

實驗?zāi)康模焊邷仄珘簩悠返挠绊?

測試過程：樣品放入實驗chamber，power supply設(shè)置指定電壓及限流值，常溫try run，觀察電源是否有限流出現(xiàn)，量測進(jìn)芯片端電壓是否達(dá)到預(yù)期，記錄常溫電流值，chamber設(shè)置指定溫度，當(dāng)溫度穩(wěn)定于設(shè)定值后，高溫上電并記錄高溫電流值

設(shè)備能力：

HAST高度加速應(yīng)力測試

實驗標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110/A118 （EHS-431ML ， EHS-222MD）

實驗?zāi)康模篐AST提供了恒定的多重應(yīng)力條件，包括溫度、濕度、壓力和偏壓。為了評估潮濕環(huán)境中工作的非封閉封裝設(shè)備的可靠性而進(jìn)行。多重應(yīng)力條件會加速濕氣通過封裝模具化合物或沿著外部保護(hù)材料和通過封裝的金屬導(dǎo)體之間的界面滲透。當(dāng)水分到達(dá)裸片表面時，施加的電位會建立一個電解條件，腐蝕鋁導(dǎo)體，影響器件的直流參數(shù)。芯片表面存在的污染物，如氯，會大大加速腐蝕過程。此外，鈍化層中過多的磷也會在這些條件下發(fā)生反應(yīng)。
       
設(shè)備一 設(shè)備二
設(shè)備能力：

設(shè)備一

設(shè)備二

THB溫濕度循環(huán)測試

實驗標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A101

實驗?zāi)康模簻貪穸茸兓瘜悠返挠绊?

實驗過程：樣品放入實驗chamber，power supply設(shè)置指定電壓及限流值，常溫try run，觀察電源是否有限流出現(xiàn)，量測進(jìn)芯片端電壓是否達(dá)到預(yù)期，記錄常溫電流值，chamber設(shè)置指定溫度，當(dāng)溫度穩(wěn)定于設(shè)定值后，高溫上電并記錄高溫電流值

設(shè)備能力：

TSA&TSB溫度沖擊試驗
實驗標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A106
實驗?zāi)康模杭铀贉囟茸兓瘜悠返挠绊?br style="box-sizing:border-box;animation-fill-mode:both;padding:0px;margin:0px;" /> 測試過程：樣品放入測試chamber，chamber內(nèi)部設(shè)定指定溫度，升溫前卻確認(rèn)樣品已被固定在模具上，已防止實驗期間因樣品掉入chamber內(nèi)而損壞。

設(shè)備能力：