這些領(lǐng)域中最為人熟知的就是集成電路芯片(例如Intel處理器,手機(jī)內(nèi)存,閃存等等),所以我們經(jīng)常以集成電路芯片產(chǎn)業(yè)指代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(另外主要還有分立器件以及光電器件兩個(gè)大類)。全球先進(jìn)制程半導(dǎo)體的需求持續(xù)增加,半導(dǎo)體制程技術(shù)演進(jìn),也使得組件尺寸越做越精密,但是組件也開始出現(xiàn)可靠度(翹曲、脫層、裂痕)與制程上的問題,對(duì)于半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試、故障分析及壽命推算的要求也越來(lái)越嚴(yán)苛,所以就需要進(jìn)行氣候環(huán)境模擬試驗(yàn)(凝露、呼吸、溫濕度結(jié)合、溫度沖擊、高低溫交變循環(huán)等)相關(guān)組件與組件的壽命時(shí)間拉長(zhǎng),但是又需要縮短試驗(yàn)的時(shí)間,因此必須要進(jìn)行加速壽命與強(qiáng)迫吸濕試驗(yàn),將相關(guān)半導(dǎo)體可靠度試驗(yàn)會(huì)參考與引用的測(cè)試規(guī)范整理于此專區(qū)
技術(shù)文章規(guī)范
JEDEC半導(dǎo)體可靠度測(cè)試與規(guī)范
說(shuō)明:JEDEC半導(dǎo)體業(yè)界的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化組織,制定固態(tài)電子方面的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(半導(dǎo)體、記憶體),成立超過(guò)50年,是一個(gè)全球性的組織,他所制定的標(biāo)準(zhǔn)是很多產(chǎn)業(yè)都能夠接受何采納的,內(nèi)容包含了專業(yè)術(shù)語(yǔ)的定義、產(chǎn)品的規(guī)格、測(cè)試方法、可靠度試驗(yàn)要求等,涵蓋內(nèi)容非常廣。
JEDEC規(guī)范查詢下載網(wǎng)址:Home | JEDEC
JEP122G-2011半導(dǎo)體元件的失效機(jī)制和模型
說(shuō)明:加速壽命試驗(yàn)用于提早發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體潛在的故障原因,并估算可能的失效率透過(guò)相關(guān)活化能與加速因子公式,用于加速壽命測(cè)試下進(jìn)行估算與故障率統(tǒng)計(jì)。幫助企業(yè)提高產(chǎn)品的合格率,降低生產(chǎn)成本,提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力
JEP150.01=2013與組裝固態(tài)表面安裝組件相關(guān)的應(yīng)力測(cè)試驅(qū)動(dòng)失效機(jī)理
說(shuō)明:GBA、LCC貼合在PCB上,采用一組較常使用的加速可靠度測(cè)試,用來(lái)評(píng)估生產(chǎn)工藝與產(chǎn)品的散熱,找出潛在的故障機(jī)制,或是可能造成錯(cuò)誤失敗的任何原因。
JESD22-A101D.01-2021穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命測(cè)試
說(shuō)明:本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在施加偏壓的條件下進(jìn)行溫度-濕度壽命測(cè)試的定義方法和條件,該測(cè)試用來(lái)評(píng)估潮濕環(huán)境中非氣密性包裝的固態(tài)設(shè)備可靠性,如:密封IC器件
采用高溫或高濕條件以加速水分通過(guò)外部的保護(hù)材料(密封劑或密封),或沿著外部保護(hù)涂層與導(dǎo)體與其他穿過(guò)部件之間的界面滲透。
JESD22-A102E-2015封裝IC無(wú)偏壓PCT試驗(yàn)
說(shuō)明:用來(lái)評(píng)價(jià)非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性,樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中,以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi),暴露出封裝中的弱點(diǎn),如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗(yàn)用來(lái)評(píng)價(jià)新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計(jì)的更新。應(yīng)該注意,在該試驗(yàn)中會(huì)出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會(huì)降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式
JESD22-A104F-2020溫度循環(huán)
說(shuō)明:溫度循環(huán)TCT測(cè)試是讓IC零件經(jīng)受極高溫和極低溫之間,來(lái)回溫度轉(zhuǎn)換的可靠度測(cè)試,進(jìn)行該測(cè)試時(shí)將IC零件重復(fù)暴露于這些條件下,經(jīng)過(guò)指定的循環(huán)次數(shù),過(guò)程被要求其指定升降溫的溫變速率(℃/min),另外需確認(rèn)溫度是否有效滲透到測(cè)試品內(nèi)部。
JESD22-A105D-2020功率和溫度循環(huán)
說(shuō)明:本測(cè)試適用于受溫度影響的半導(dǎo)體元器件,過(guò)程中需要在指定高低溫差條件下,開啟或關(guān)閉測(cè)試電源,溫度循環(huán)還有電源測(cè)試,是確認(rèn)元器件的承受能力,目的是模擬實(shí)際會(huì)遇到的最差狀況。
JESD22-A106B.01-2016溫度沖擊
說(shuō)明:進(jìn)行此溫度沖擊測(cè)試,是為了確保半導(dǎo)體元器件,對(duì)于突然暴露在極端高低溫條件下的抵抗力及影響,此試驗(yàn)其溫變率過(guò)快并非模擬真正實(shí)際使用情況,其目的是施加較嚴(yán)苛的應(yīng)力于半導(dǎo)體元器件上,加速其脆弱點(diǎn)的破壞,找出可能的潛在性損害。
JESD22-A110E-2015有偏壓的HAST高度加速壽命試驗(yàn)
說(shuō)明:依據(jù)JESD22-A110規(guī)范,高低溫濕熱試驗(yàn)箱都是可以進(jìn)行元器件高溫高濕的試驗(yàn),而且試驗(yàn)過(guò)程中需要施加偏壓,目的是加速元器件腐蝕,高溫高濕試驗(yàn)箱可以有效縮短試驗(yàn)時(shí)間
推薦設(shè)備:
冷熱沖擊試驗(yàn)箱http://www.fulltext.cn/labcompanion_Product_2064183367.html?_v=1704472660
高低溫濕熱試驗(yàn)箱 恒溫恒濕箱 恒溫恒濕試驗(yàn)箱 廣東宏展科技有限公司 Lab Companion Ltd.