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技術(shù)文章

燒機(jī)試驗(yàn)機(jī)(LED老化試驗(yàn)設(shè)備)CK/BIO/BIR

燒機(jī)試驗(yàn)機(jī)(LED老化試驗(yàn)設(shè)備)CK/BIO/BIR-Type
用于LED老化(溫度應(yīng)力)試驗(yàn)...

環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)

篩選試驗(yàn)是一種對產(chǎn)品進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)的非破壞性試驗(yàn)。其目的是為選擇具有一定特性的產(chǎn)品或剔早期失效的產(chǎn)品，以提高產(chǎn)品的使用可靠性。產(chǎn)品在制造過程中，由于材料的缺陷，或由于工藝失控，使部分產(chǎn)品出現(xiàn)所謂早期缺陷或故障，這些缺陷或故障若能及早剔除，就可以保證在實(shí)際使用時(shí)產(chǎn)品的可靠性水平。
篩選試驗(yàn)可以在元件、器件、連接器等產(chǎn)品或整機(jī)系統(tǒng)中進(jìn)行，根據(jù)要求不同可以有不同的應(yīng)力篩選試驗(yàn)，環(huán)境應(yīng)力篩選的主要試驗(yàn)為：

電應(yīng)力篩選：加電工作試驗(yàn)、加電加負(fù)荷試驗(yàn)
溫度應(yīng)力篩選：高溫、低溫、高溫工作或低溫工作
環(huán)境應(yīng)力篩選：溫度變化
機(jī)械應(yīng)力篩選：沖擊或振動
其他篩選：參數(shù)篩選、一致性篩選
篩選試驗(yàn)也可分為普通篩選
參照標(biāo)準(zhǔn)：
MIL-STD-2164-85
GJB1032－90  “電子產(chǎn)品環(huán)境應(yīng)力篩選方法”
GJB451-90
MIL-STD-721C-81
MIL-STD-785B-80
可靠性篩選試驗(yàn)的特點(diǎn)是：
A．這種試驗(yàn)不是抽樣的，而是100%試驗(yàn).
B．該試驗(yàn)可以提高合格品的總的可靠性水平.但不能提高產(chǎn)品的固有可靠性.即不能提高每個(gè)產(chǎn)品的壽命.
C．不能簡單地以篩選淘汰率的高低來評價(jià)篩選效果.淘汰率高.有可能是產(chǎn)品本身的設(shè)計(jì)、元件、工藝等方面存在嚴(yán)重缺陷. 但了有可能是篩選應(yīng)力強(qiáng)度太高.淘汰率低.有可能產(chǎn)品缺陷少.但也有可能是篩選應(yīng)力的強(qiáng)度和試驗(yàn)時(shí)間不足造成的.
 技術(shù)參數(shù)

CK-290+LED測試系統(tǒng)
圖片僅供參考,實(shí)物以訂單為依據(jù). 		高精度微電腦無段式控制調(diào)溫系統(tǒng)

以PID＋Fuzzy 方式控制,使系統(tǒng)之加減熱量達(dá)到低能耗、節(jié)能、減碳效果.制熱電子化智慧控制,故能長期穩(wěn)定的使用。
 技術(shù)參數(shù)

CK-179+LED測試系統(tǒng)
圖片僅供參考,實(shí)物以訂單為依據(jù). 		溫度范圍：55℃～150℃ 。
點(diǎn)燈溫度范圍： 55℃~120℃。
升溫時(shí)間：20℃～150℃約50分鐘 (空載時(shí))。
負(fù)載：HI POWER LED測試板60片(10顆/片)，每顆LED的輸入電源為0~1000mA，電壓為5V，發(fā)熱量600W;LO POWER LED測試板20片 (20顆/片)，每顆LED的輸入電源為0~200mA，電壓為5V，發(fā)熱量200W。
共80片LED測試板，負(fù)載材質(zhì)：LED×30%，電路板×20%，銅×50%。
PS.可依客戶測試規(guī)范或需求訂制
產(chǎn)品特性

BIO
圖片僅供參考,實(shí)物以訂單為依據(jù). 		可放10組模組板，輸出總數(shù)400 channels。
每組模組板對應(yīng)2組20channels輸出。
機(jī)箱型式：19"標(biāo)準(zhǔn)儀器箱，符合EIA RS-310-C 之規(guī)范。
機(jī)箱尺寸：483W*221.5H*460D mm，采5U高度設(shè)計(jì)，可直接裝于EIA 19"標(biāo)準(zhǔn)儀器架。
機(jī)箱材質(zhì)：采鋁合金制造，質(zhì)輕、美觀、耐用。
PS.可依客戶測試規(guī)范或需求訂制
試驗(yàn)規(guī)范
GB/T2423.2-2001《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫》
GB/T13543-92《數(shù)字通信設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法》
MIL-STD-883D 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》
MIL-STD-810F《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)》
MIL-STD-202F《電子及電氣元件試驗(yàn)方法》
GJB150.3-86《軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 高溫試驗(yàn)》
GJB548A-96 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》
SJ/T 10325-92《汽車收放機(jī)環(huán)境試驗(yàn)要求和試驗(yàn)方法》4.1 高溫負(fù)荷試驗(yàn)
SJ/T 10325-92《汽車收放機(jī)環(huán)境試驗(yàn)要求和試驗(yàn)方法》4.2 高溫貯存試驗(yàn)